大(dà)家好，来看现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子p>

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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